研究領(lǐng)域 – 特種陶瓷實驗室

一維碳化硅材料本身的吸波性能并不高,但可以通過摻雜、復合等手段進行改善,從而獲得各種高性能吸波材料。本課題組以二茂鐵為原料,使用感應(yīng)加熱的方法,在碳化硅纖維表面生長出碳納米管,成功制備出了CNT/SiC f 復合材料。

納米碳化硅粉體的制備及其分散性的研究_反應(yīng)

此法制備的粉末粒徑較大,不能制備納米碳化硅粉體,為了制取粒徑細小的納米粉末,人們研究出了碳熱還原法、激光誘導法、溶膠-凝膠法、化學氣相沉積法、等離子體法、高能球磨法等新方法。溶膠-凝膠法制備碳化硅納米粉體的核…

三維針刺碳/碳化硅摩擦材料的制備及性能—碩士畢業(yè)論文下載

· C/SiC摩阻材料制備過程 第25-28 頁 · C/SiC摩阻材料制備工藝路線 第25 頁 · 浸滲液的配制 第25-26 頁 · 浸滲工藝 第26 頁 · 固化及碳化工藝 第26-28 頁 · 實驗設(shè)備 第28 頁 · 分析測試設(shè)備 第28-31 頁 · 研究方法 第31-32

粉體百科：三元正極材料制備方法大盤點

9 610 石英砂,硅微粉設(shè)備供應(yīng)商：濰坊德爾粉體設(shè)備技術(shù)有限公司作為參展單位亮相2020全國石英大會！ 1 3898 石墨烯芯片迎來突破,芯片國產(chǎn)化有轉(zhuǎn)折？性能是硅基芯片的十倍 2 3816 31張PPT解讀碳化硅的應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀 3 3500 你不知道的制備石墨烯的

一種碳化硅外延材料及其制備方法

本發(fā)明提供了一種碳化硅外延材料。所述碳化硅外延材料包括N+碳化硅單晶襯底層,位于襯底下面的P+支撐層和位于襯底表面的N-漂移層,其制備方法包括以下步驟1、N+型襯底的準備；2、對N+型襯底的背面化學機械拋光；3、在背面進行P+支撐層的生長；4、N+型襯底正面的減??；5、正面化學機械拋光；6 ...

納米碳化硅的應(yīng)用和制備方法-用戶體驗-ROHM技術(shù)社區(qū)

碳化硅納米材料除了具有熱傳導率高、熱穩(wěn)定性強、抗氧化、耐化學腐蝕、熱膨脹系數(shù)低、熱傳導率高、化學穩(wěn)定性能好、機械性能高等特點,還具有高的禁帶寬度,小的介電常數(shù)和較高的電子飽和遷移率,高的臨界擊穿電場和熱導率等許多優(yōu)良的特性。

一文帶你了解碳化硅纖維的制備及應(yīng)用-用戶體驗-ROHM技術(shù)社區(qū)

碳化硅纖維是一種以碳和硅為主要成分的高性能陶瓷材料,具有高溫耐氧化性、高硬度、高強度、高熱穩(wěn)定性、耐腐蝕性和密度小等優(yōu)點。制備碳化硅纖維主要有4種方法：先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法、化學氣相沉積法、超微細粉高溫燒結(jié)法和活性炭纖維轉(zhuǎn)化法。

得碳化硅得天下,我們聊聊碳化硅（SiC）-控制器/處理器 ...

長晶設(shè)備已經(jīng)向合作伙伴供貨,碳化硅晶體材料是此次募投方向。所以露笑科技在碳化硅領(lǐng)域的階段定位為早期,技術(shù)成熟,市場有待開拓。 我們談一談,第三代半導體材料的主角之一,碳化硅（SiC）。 本文嘗試將碳化硅技術(shù)、產(chǎn)品和市場,以及露笑

半導體碳化硅單晶材料的發(fā)展-大連理工大學（鞍山）研究院

半導體碳化硅單晶材料的發(fā)展摘要：本文回顧了半導體碳化硅（SiC）單晶材料的發(fā)展史,簡單介紹了半導體SiC單晶材料的結(jié)構(gòu)與性質(zhì),對物理氣相傳輸法（PVT）制備SiC單晶做了描述,詳細介紹了SiC單晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷,同時 ...

碳化硅陶瓷及制備工藝_百度文庫

半導體屆"小紅人"——碳化硅

碳化硅（SiC）又名金剛砂,乍一聽想必它與金剛石有點淵源,事實還真是如此。1891年美國人艾奇遜在進行電熔實驗時偶然發(fā)現(xiàn)了這種碳化物,誤以為是金剛石的混合體,便賜它"金剛砂"一名。 碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。

即將上市的一片"碳化硅"能賣2000美元！全球只有四家！_山西

全球可以制備高純半絕緣碳化硅晶片的廠家,一共有四家,而我們公司是其中的一家,我們不但掌握了碳化硅材料的制備技術(shù),同時從生產(chǎn)設(shè)備到原材料我們也實現(xiàn)了自主可控。

、碳化硅業(yè)務(wù)技術(shù)優(yōu)勢公司在布局藍寶石業(yè)務(wù)期間積累了大量 ...

碳化硅業(yè)務(wù)技術(shù)優(yōu)勢 公司在布局藍寶石業(yè)務(wù)期間積累了大量的生產(chǎn)藍寶石長晶爐的經(jīng)驗,由于藍寶石晶體和碳化硅晶體生長之間的相似性,公司在碳化硅晶體生長的長晶爐上同樣具有較強的實力。

2020年寬禁帶半導體項目盤點：竟有這么多碳化硅項目簽約 ...

建筑面積 2.7 萬平方米,能容納 600 臺碳化硅單晶生產(chǎn)爐和 18 萬片 N 型晶片的加工檢測能力,可形成 7.5 萬片的碳化硅晶片產(chǎn)能。 自 2007 年,中國電科 2 所便著手布局碳化硅單晶襯底材料的研制規(guī)劃,依靠自身在電子專用設(shè)備研發(fā)領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢,潛心鉆研著碳化硅單晶生長爐的研制。

露笑科技：碳化硅業(yè)務(wù)"萬事俱備" 只等東風_同花順圈子

碳化硅業(yè)務(wù)"萬事俱備,只欠東風" 關(guān)于碳化硅,露笑科技技術(shù)積淀較為深厚,目前公司已經(jīng)完成6寸石英管式碳化硅晶體生長爐開發(fā),以獨特密封結(jié)構(gòu)解決設(shè)備高真空度獲取與長時間保持的難題,極限真空2×10-5Pa,具備工程化使用條件。

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納米碳化硅單晶體的制備 －挑戰(zhàn)杯

納米碳化硅單晶體的制備 作品詳細信息展示,分享和評論 科學性、先進性 對于碳化硅單晶體的研究,已經(jīng)有多年的歷史,很多學者也提出了一些成功的制備方案。G.C. Xi、Z.J Li、R.B Wu、G.Z. Yang等通過多種方法,在實驗室中制備了一維生長的碳化硅單晶體。

碳化硅_360百科

高溫制備SiC冶煉塊的熱工設(shè)備是專用的碳化硅電爐,其結(jié)構(gòu)由爐底、內(nèi)面鑲有電極的端墻、可卸式側(cè)墻、爐心體(全稱為:電爐的通電發(fā)熱體,一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料,一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連)等組成。

【佳日豐泰】碳化硅陶瓷的特種制備技術(shù)-碳化硅陶瓷-佳日豐泰

碳化硅陶瓷材料具有高溫強度大,高溫抗氧化性強,耐磨損性能好,熱穩(wěn)定性,熱彭脹系數(shù)小,熱導率大,硬度高,抗熱震和耐化學腐蝕等優(yōu)良特性。在汽車、機械化工、環(huán)境保護、空間技術(shù)、信息電子、能源等領(lǐng)域有著日益廣泛的應(yīng)用,已經(jīng)成為一種在很多工業(yè)領(lǐng)域性能優(yōu)異的其他材料不可替代的 ...

國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)布局加速中 露笑科技欲突破SiC晶體制備難題 ...

原標題：國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)布局加速中 露笑科技 欲突破SiC晶體制備難題 來源：證券日報網(wǎng) 本報見習記者 吳文婧 近日,隨著小米氮化鎵快充頭的發(fā)布 ...

碳化硅生產(chǎn)工藝-百度經(jīng)驗

碳化硅納米晶須的制備研究進展

這種方法制備的b-SiC 納米晶須平均直徑為20~60 nm 長度可達2~3 ìm 形態(tài)光滑 同時 在SiC 納 米晶須的頂端還得到了Fe 納米粒子 這種方法使用 的原材料易得 設(shè)備簡單 成本低廉 有可能大規(guī)模 制備b-SiC 納米晶須 但是 制備的晶須中頂端帶有 Fe 納米顆粒 而晶須

《碳化硅和生產(chǎn)工藝技術(shù),碳化硅的加工制造方法》_百度文庫

碳化硅晶體

由于制備碳化硅晶體所需溫度通常需達到2000度以上,故用于制備碳化硅晶體的設(shè)備溫一般可達2500 度以上。 圖集 碳化硅晶體的概述圖 V百科往期回顧 詞條統(tǒng)計 瀏覽次數(shù)： 次 編輯次數(shù)：18次歷史版本 近更新： 14159ccc 突出貢獻榜 古登劍客 ...

國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)大盤點-全球半導體觀察丨DRAMeXchange

今年的半導體產(chǎn)業(yè),碳化硅（SiC）頗為火熱。 前不久,英飛凌宣布以1.39億美元收購初創(chuàng)企業(yè)Siltectra,獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上,進一步加碼碳化硅市場,X—Fab、日本羅姆等企業(yè)早些時候也相繼宣布將擴大碳化硅產(chǎn)能,碳化硅產(chǎn)業(yè)海外重要玩家已開始備戰(zhàn)。

即將上市的一片"碳化硅"能賣2000美元！全球只有四家！_山西

全球可以制備高純半絕緣碳化硅晶片的廠家,一共有四家,而我們公司是其中的一家,我們不但掌握了碳化硅材料的制備技術(shù),同時從生產(chǎn)設(shè)備到原材料我們也實現(xiàn)了自主可控。