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二氧化鈦 氧化鋯 碳酸鹽 碳酸鍶 碳酸鋇 新聞 上海典揚(yáng)在疫情中復(fù)工 ... 揚(yáng)在疫情中復(fù)工... 2019年,5G時(shí)代正式拉開(kāi)序幕,高頻高速傳輸對(duì)材料的介電常數(shù)、介電損耗以及輕量化提出了更高的要 ...
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二氧化鈦 改性環(huán)氧樹脂膠黏劑的性能 陳宇飛1,2,張 旭1,孫佳林1,林彩威 ... 1748℃；在工頻下,介電常數(shù)和介電損耗 分別為427和002,擊穿場(chǎng)強(qiáng)為1403kV·mm－1．關(guān) ...
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提供高介電常數(shù)電子材料制備及其電性能研究文檔免費(fèi)下載,摘要:高介電常數(shù)電子材料制備及其電性能研究陳澤婷(東廣播電視大學(xué)廣東州廣廣中圖分類號(hào)￣N4T2文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A文章編號(hào)：6279(011-7—217—8421)5080摘要實(shí)驗(yàn)利用傳統(tǒng)的電子陶瓷制備工藝.制備了純CC3102CT)au下1CO陶瓷,
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新型納米材料——納米級(jí)半導(dǎo)體二氧化鈦簡(jiǎn)介一、TiO2半導(dǎo)體納米材料的特性1、光學(xué)特性TiO2半導(dǎo)體納米粒子(1～100nm)由于存在著顯著的量子尺寸效應(yīng),因此它們的光物理和光化學(xué)性質(zhì)迅速成為目前活躍的研究領(lǐng)域之一。其中TiO2半導(dǎo)體納米粒子所具有的超快速的光學(xué)非線性響應(yīng)及(室溫)光致發(fā) …
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過(guò)氧化氫Hydrogen peroxide 128 aq–60(?30–25 °C) 氫氰酸Hydrocyanic acid 158.0–2.3(0–21 °C) 二氧化鈦Titanium dioxide 86–173 鈦酸鍶Strontium titanate 310 鈦酸鍶鋇Barium strontium titanate 500 鈦酸鋇Barium titanate 1200–10,000(20–120 °C) 鋯鈦酸鉛Lead
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過(guò)氧化氫Hydrogen peroxide 128 aq–60(?30–25 °C) 氫氰酸Hydrocyanic acid 158.0–2.3(0–21 °C) 二氧化鈦Titanium dioxide 86–173 鈦酸鍶Strontium titanate 310 鈦酸鍶鋇Barium strontium titanate 500 鈦酸鋇Barium titanate 1200–10,000(20–120 °C) 鋯鈦酸鉛Lead
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復(fù)介 電常數(shù)普通的表示方式是: ε'、ε''都是領(lǐng)帶依賴于頻率的量,所以: 介質(zhì)損耗和頻率、溫度、濕度的關(guān)系1)頻率的影響 (1)當(dāng)外加電場(chǎng)頻率很低,即ω0 時(shí),介質(zhì)的各種極化都能跟上外加電場(chǎng) 的變化,此時(shí)不存在極化損耗,介電常數(shù)達(dá)值。介電損耗主要由漏
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陶瓷介質(zhì)電容器的絕緣體材料主要使用陶瓷,其基本構(gòu)造是將陶瓷和內(nèi)部電極交相重疊。陶瓷材料有幾個(gè)種類。自從考慮電子產(chǎn)品無(wú)害化特別是無(wú)鉛化后,高介電系數(shù)的PB（鉛）退出陶瓷電容器領(lǐng)域,現(xiàn)在主要使用TiO2(二氧化鈦)、BaTiO3,CaZrO3(鋯酸鈣)等。
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TiO2半導(dǎo)體納米微粒是在納米尺度上原子和分子的集合體,這個(gè)非宏觀、非微觀的中間層次出現(xiàn)許多新問(wèn)題。 例如電子的平均自由程比傳統(tǒng)固體短,周期性被破壞,過(guò)去建立在平移周期上描述電子的布洛赫波已不適用。建立在亞微米范圍的半導(dǎo)體p 2n 結(jié)理論對(duì)于小于10 nm 的微粒已經(jīng)失效。
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含量時(shí),雙粒徑CCTO 共混填充復(fù)合材料比單獨(dú)用亞微米或微米級(jí)CCTO 填充的復(fù)合材料介電常數(shù)更高（在100Hz 時(shí)ε r = 25.6）,而介電損耗幾乎相同（在100Hz 時(shí)tanδ= 0.1）。我們分析了雙粒徑共混填充展示出高介電常數(shù)和低介電損耗的理論原 因。
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主要用于制造電容器。要求材料的電阻率高,介電常量大。 種類很多,重要的有金紅石(TiO2)瓷,含二氧化鈦的復(fù)合氧化物陶瓷,如鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鋇等。 云母具有層狀結(jié)構(gòu),易剝離成薄片,適于用作疊層型電容器。六方氮化硼耐高溫、導(dǎo)熱系數(shù)大,是理想的高溫導(dǎo)熱絕緣材料。
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用戶評(píng)價(jià) 這是我近看到的關(guān)于介電材料的文章 12:04:18 不錯(cuò)！,作者還有其他關(guān)于介電材料的文檔嗎？ 17:14:49
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各種電介質(zhì)的介電常數(shù)含有大量二氧化鈦的陶瓷電容器紙?jiān)颇附橘|(zhì)損耗角正切和介電常數(shù)的測(cè)定(50赫)：采用西林電橋和QS-3電橋全套設(shè)備進(jìn)行測(cè)定,而以錫箔做為電極材料,其厚度為0.01毫米,錫箔應(yīng)平展無(wú)損傷。
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簡(jiǎn)要介紹 氧化鎂（MgO）單晶基片廣泛應(yīng)用在多個(gè)薄膜技術(shù)領(lǐng)域中。如用于制作磁學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、光學(xué)薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等。由于MgO單晶在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小,且能得到大面積的基片（直徑2"及更大）,所以是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。
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TiO2半導(dǎo)體納米微粒是在納米尺度上原子和分子的集合體,這個(gè)非宏觀、非微觀的中間層次出現(xiàn)許多新問(wèn)題。 例如電子的平均自由程比傳統(tǒng)固體短,周期性被破壞,過(guò)去建立在平移周期上描述電子的布洛赫波已不適用。建立在亞微米范圍的半導(dǎo)體p 2n 結(jié)理論對(duì)于小于10 nm 的微粒已經(jīng)失效。
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自從考慮電子產(chǎn)品無(wú)害化特別是無(wú)鉛化后,高介電系數(shù)的PB（鉛）退出陶瓷電容器領(lǐng)域,現(xiàn)在主要使用TiO2(二氧化鈦)、BaTiO3,CaZrO3(鋯酸鈣)等。 和其它的電容器相比具有體積小、容量大、耐熱性好、適合批量生產(chǎn)、價(jià)格低等優(yōu)點(diǎn)。
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—種低介電常數(shù)低損耗近零溫度系數(shù)的LTCC陶瓷材料的制備方法,其特征在于,包 括以下步驟： 步驟1),以硫酸鋇、二氧化鈦粉和玻璃粉為初始原料,以質(zhì)量份計(jì)配比以下組分:60? 75份的BaS〇4,20?40份的Ba〇-B2〇3-Si02-Ah03基玻璃材料以及5?10份的
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金紅石二氧化鈦介電常數(shù)的光致增大效應(yīng) - 第3 8卷 第 5期 2 0 1 7年 1 0 月 河 南 科 技 大 學(xué) 學(xué) 報(bào) （自 然 科 學(xué) 版 ） J o u r n a l ... 在 4 0～1 0 Hz, 紫 外光 照射會(huì) 誘 導(dǎo) 金 紅石 T i O, 介 電常 數(shù)增 大 、 介 電損耗 減小 。 利 用 這 種 效應(yīng), 通 ...
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自從考慮電子產(chǎn)品無(wú)害化特別是無(wú)鉛化后,高介電系數(shù)的PB（鉛）退出陶瓷電容器領(lǐng)域,現(xiàn)在主要使用TiO2(二氧化鈦)、BaTiO3,CaZrO3(鋯酸鈣)等。 和其它的電容器相比具有體積小、容量大、耐熱性好、適合批量生產(chǎn)、價(jià)格低等優(yōu)點(diǎn)。
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研究了不同制備壓力下成型的以金紅石相為主的納米二氧化鈦介電常數(shù)的頻率譜和溫度譜。在頻率譜上發(fā)現(xiàn),當(dāng)頻率ω<0.1kHz時(shí),隨著測(cè)量頻率的下降,介電常數(shù)迅速升高,低頻下的介電常數(shù)比高頻區(qū)的介電常數(shù)高1—2個(gè)數(shù)量級(jí)。并且隨著樣品加壓壓力的提高,介電常數(shù)升高,在與之相對(duì)應(yīng)的介電損耗譜上,隨著 ...
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復(fù)介 電常數(shù)普通的表示方式是: ε'、ε''都是領(lǐng)帶依賴于頻率的量,所以: 介質(zhì)損耗和頻率、溫度、濕度的關(guān)系1)頻率的影響 (1)當(dāng)外加電場(chǎng)頻率很低,即ω0 時(shí),介質(zhì)的各種極化都能跟上外加電場(chǎng) 的變化,此時(shí)不存在極化損耗,介電常數(shù)達(dá)值。介電損耗主要由漏
在線咨詢"二氧化鉿" 的相關(guān)詞 鍺金屬氧化物半導(dǎo)體 氧化鈦鉿 濕氮?dú)馔嘶?離子束增強(qiáng)沉積 界面層 高介電常數(shù)柵介質(zhì) 高k電介質(zhì) 等效氧化層厚度 柵氧化層 柵介質(zhì) 柵極漏電流 氧元素 平帶電壓 漏電流 量子效應(yīng) 介電性能 界面態(tài)密度 積累層 硅襯底 電荷密度
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