一種新穎的V浮空埋層結(jié)構(gòu)--《微電子學(xué)》年期苗志坤;H-SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管靜態(tài)特性研究[D];哈爾濱工程大學(xué);年中國期。謝欣云;非單一SiO_埋層的SOI新結(jié)構(gòu)研究[D];中國科學(xué)院研究生院(上海微系統(tǒng)與信息。

輕武器射表編擬試驗(yàn)彈藥批次的選擇-維普期刊中文期刊服務(wù)平臺(tái)楊俊梅,建華,成龍,趙天青,基于超聲傳感器的自動(dòng)報(bào)靶系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[J].電子技術(shù)(上海),,():-.被引量:苗志坤,李天琪,徐立坤,H-SiCTSOB結(jié)勢(shì)壘肖特基二極。

寄生電感對(duì)Buck變換器中SiCMOSFET開關(guān)特性的影響--《上海電機(jī)。苗志坤;H-SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管靜態(tài)特性研究[D];哈爾濱工程大學(xué);年霍田。黃維綱,旭永,顯正,鐘廷修;高速電磁開關(guān)閥開關(guān)特性的機(jī)理研究[J];上海交通大學(xué)學(xué)。

中國網(wǎng)球協(xié)會(huì)會(huì)員網(wǎng)、曾俊長沙黃麒瑋武漢苗志坤武漢、張泉武漢李華榮武漢何梁平武漢、李江。、蔡賢德武漢姚文華上海田貴賓合肥、葛祺武漢李巖北京丁正武漢郭益平武漢。

H-SiC肖特基二極管載流子輸運(yùn)的溫度效應(yīng)--《上海師范大學(xué)學(xué)報(bào)(。苗志坤;H-SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管靜態(tài)特性研究[D];哈爾濱工程大學(xué);年張健;有機(jī)薄膜肖特基二極管的實(shí)驗(yàn)研究[D];哈爾濱理工大學(xué);年快捷付款方式訂購知網(wǎng)充。

大家看一下這樣的男生算什么水平?怎么做?_百度知道歲目前在上海經(jīng)營自己一家訂氦斥教儷寄籌犀船簍店今年準(zhǔn)備開分店月進(jìn)賬萬多處。--:苗志坤|一級(jí)中產(chǎn)評(píng)論|分享--:Lying。

太赫茲肖特基二極管技術(shù)研究進(jìn)展--《太赫茲科學(xué)與電子信息學(xué)報(bào)》。沈陸發(fā);左手材料光波導(dǎo)的傳輸特性[D];上海大學(xué);年鐘富群;固態(tài)太赫茲前端關(guān)。苗志坤;H-SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管靜態(tài)特性研究[D];哈爾濱工程大學(xué);年馬殿。

溝槽肖特基二極管工藝研究--《集成電路應(yīng)用》年期作者單位:上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司;分類號(hào):TN.支持CAJ、PDF文件。苗志坤;H-SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管靜態(tài)特性研究[D];哈爾濱工程大學(xué);年快捷付。

基于PSpice的碳化硅MOSFET的建模與仿真--《智能電網(wǎng)》年。寄生電感對(duì)Buck變換器中SiCMOSFET開關(guān)特性的影響[J];上海電機(jī)學(xué)院學(xué)報(bào);年。苗志坤;H-SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管靜態(tài)特性研究[D];哈爾濱工程大學(xué);年陶昆。

InfluencesofICPetchingdamagesontheelectronicpropertiesof。苗志坤;李天琪;徐立坤;;H-SiCTSOB結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管靜態(tài)特性[J];電子科技;。隆洋;小平;段新超;麗軍;張雷;;線槽狀幾何場增強(qiáng)模型研究[J];上海理工大學(xué)學(xué)報(bào)。

低功耗SiC二極管實(shí)現(xiàn)功率密度--《世界電子元器件》年期H-SiC肖特基二極管載流子輸運(yùn)的溫度效應(yīng)[J];上海師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);年。苗志坤;H-SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管靜態(tài)特性研究[D];哈爾濱工程大學(xué);年周瑤;。

寄生參數(shù)對(duì)SiCMOSFET開關(guān)特性的影響--《上海電機(jī)學(xué)院學(xué)報(bào)》。苗志坤;H-SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管靜態(tài)特性研究[D];哈爾濱工程大學(xué);年霍田。欣,李征帆,代文亮,陳清華;用鏡像電荷法求取共面互連線寄生參數(shù)[J];上海交通大學(xué)。

基于肖特基阻性二極管的GHz二倍頻器--《太赫茲科學(xué)與電子。高少文;太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器電子動(dòng)力學(xué)研究[D];中國科學(xué)院研究生院(上海微系統(tǒng)與。苗志坤;H-SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管靜態(tài)特性研究[D];哈爾濱工程大學(xué);年馬殿。

立方氮化硼空間電荷限制肖特基二極管研究--《吉林大學(xué)學(xué)報(bào)(信息。詹琰;GaAsMESFET器件與光通信GaAs電路的研究[D];中國科學(xué)院上海冶金研究所;。苗志坤;H-SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管靜態(tài)特性研究[D];哈爾濱工程大學(xué);年張健。

Littelfuse推出五款GEN碳化硅(SiC)肖特基二極管降低能源成本和。H-SiC肖特基二極管載流子輸運(yùn)的溫度效應(yīng)[J];上海師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);年。苗志坤;H-SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管靜態(tài)特性研究[D];哈爾濱工程大學(xué);年周瑤;。

公告孫玉鵬、萬亞(上海)投資有限公司:本院受理龔焰訴你們借款合同糾紛一案,依法向你們公。葛留芳、陳琳琳、張影:本院受理苗志坤訴你們追償權(quán)糾紛一案已審結(jié)。依法向你們公告。

H-SiC浮動(dòng)結(jié)JBS器件的設(shè)計(jì)與實(shí)驗(yàn)研究--《西安電子科技大學(xué)》。陸逸楓;H-SiC肖特基二極管電流輸運(yùn)機(jī)制研究[D];上海師范大學(xué);年丁杰;H-S。苗志坤;H-SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管靜態(tài)特性研究[D];哈爾濱工程大學(xué);年周雨。

“黑馬”泰科天潤--《新材料產(chǎn)業(yè)》年期上海新陽半導(dǎo)體材料股份有限公司總工程師孫江燕;半導(dǎo)體材料本地化需求趨增[N];中。苗志坤;H-SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管靜態(tài)特性研究[D];哈爾濱工程大學(xué);年宋慶。

為公益而跑齊享健康生活方式舉辦今屆,金橋碧云國際社區(qū)主題長跑已經(jīng)成為上海浦東的知名品牌活動(dòng),每年吸引。logo旗也隨選手跑完全程。經(jīng)過角逐,苗志坤和鄒熒熒分別為世邦男子組和女子組名。

一種考慮溫度影響的SiCJFET的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)模型--《南京航空航天大學(xué)。苗志坤;H-SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管靜態(tài)特性研究[D];哈爾濱工程大學(xué);年二級(jí)。俞笑竹;新型半導(dǎo)體材料的制備及性能研究[D];上海交通大學(xué);年中國碩士學(xué)位論。